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SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳电池的影响
  • ISSN号:1001-2028
  • 期刊名称:《电子元件与材料》
  • 时间:0
  • 分类:TN304.1[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]北京信息科技大学理学院,北京100101
  • 相关基金:北京市自然科学基金重点项目资助(No.3131001)
中文摘要:

以In掺杂CdS量子点太阳能电池为例,讨论了SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳能电池性能的影响。通过SEM、EDS、IPCE、紫外吸收光谱、J-V曲线、EIS等实验测试结果表明,当In 掺杂CdS的摩尔比固定在1:5时,随着SILAR 次数的增加,电池的短路电流密度、开路电压和光电转换效率都随着增加,当SILAR次数为6次时,In掺杂CdS的QDSCs光电转化效率达到了最大值(η=0.76%)。随着SILAR次数的继续增加,其光电转换效率将会下降。

英文摘要:

Taking In-doped-CdS quantum dot solar cell (QDSCs) for example, the effects of SILAR cycles on In-doped-CdS QDSCs were discussed. With these characterization results of SEM,EDS,IPCE,UV-Vis absorption spectroscopy,J-V curnes and EIS, finally it is concluded that when In-doped-CdS molar ratio is fixed at 1:5, the short circuit current density,open circuit voltage and photoelectric conversion efficiency of the In-doped-CdS QDSCs increase accordingly with SILAR cycles. When the SILAR cycles reaches 6, the photoelectric conversion efficiency of In-dope-CdS QDSCs gets the maximum value (η=0.76%). When the SILAR cycles increase gradually, photoelectric conversion efficiency of solar cell decreases.

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期刊信息
  • 《电子元件与材料》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
  • 主编:陈 丰
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  • 国际标准刊号:ISSN:1001-2028
  • 国内统一刊号:ISSN:51-1241/TN
  • 邮发代号:62-36
  • 获奖情况:
  • 第二届全国优秀期刊评比二等奖,第二届国家期刊奖...
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:8585