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中文摘要：
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子^207Pb^q＋1（24≤q≤36）入射到Si（110）表面产生的电子发射的实验测量结果．结果表明，高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联．首次发现，电子发射产额Y与入射角度2005-间有接近1／tanψ的关系．理论分析认为，这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关．
英文摘要：
The electron emission induced by highly charged ions ^207 Pb^q ＋ （24 ≤ q ≤ 36） interacting with Si（110） surface is reported. The result shows that the electron emission yield Y has a strong dependence on the projectile charge state q, incidence angle and ψ impact energy E. In fitting the experimental data we found a nearly 1/tanψ dependence of Y. Theoretical analysis shows that these processes are closely related to the process of potential electron emission based on the classical over-the-barrier model.
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