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Si1-yCy合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
  • ISSN号:0258-7076
  • 期刊名称:《稀有金属》
  • 时间:0
  • 分类:TN304.055[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093
  • 相关基金:国家重点基础研究发展规划(2006CB604900);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
中文摘要:

用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子占据替位式格点,导致合金薄膜中的替位式C组分增加、间隙式缺陷减少,薄膜的晶体质量得到有效提高;相应地薄膜承受的张应力增大,外延层中Si(TO)声子模发生蓝移.

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期刊信息
  • 《稀有金属》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:北京有色金属研究总院
  • 主编:屠海令
  • 地址:北京新街口外大街2号
  • 邮编:100088
  • 邮箱:xxsf@grinm.com
  • 电话:010-82241917 62014832
  • 国际标准刊号:ISSN:0258-7076
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2111/TF
  • 邮发代号:82-167
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,冶金工业类核心期刊,中国科技论文统计源期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:13688