位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
X-ray photoelectron spectroscopy and reflection high energy electron diffraction of epitaxial growth
  • 时间：0
  • 相关项目：SiC异构多型体薄膜的SSMBE制备及其结构的同步辐射表征
同期刊论文项目
SiC异构多型体薄膜的SSMBE制备及其结构的同步辐射表征
期刊论文 27
同项目期刊论文
Carbonization process and SiC formation at C60/Si(111) interface studied by SRPES
Effect of Si/C flux ratio on the growth of 3C-SiC on Si (111) by SSMBE
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构材料制备及其发光特性研究
3C-SiC/Si（111）的掠入射X射线衍射研究
Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长
衬底温度对Si(111)表面MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响
硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响
预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响
一种硅表面化学清洗方法
Simple designs to avoid high voltage discharge in a silican electron beam-heating cell
3C-SiC的能带结构和光学函数的第一性原理计算
Mn/6H-SiC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究
室温下Cu/3C-SiC(111)界面形成的研究
在Si衬底上不同衬底温度预沉积Ge对于生长SiC薄膜的影响
蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响
6H-SiC(0001)-6√3×6√3 R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
Effect of carbonization and substrate temperature on the growth of 3C-SiC on Si (111) by SSMBE
Effect of different Ge predeposition amounts on SiC grown on Si (111)
α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长
室温下Cu／3C—SiC（111）界面形成的研究
不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响
衬底温度对si（111）衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响
6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性
Si（001）表面分子束外延生长的小尺寸Ge量子点
6H-SiC（0001）-6√3×6√3R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构表征