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AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
  • ISSN号：1003-353X
  • 期刊名称：《半导体技术》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所材料科学中心, [2]中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室, [3]中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室
  • 相关基金：国家自然科学基金(60576046,60606002);国家“973”重点基础研究项目(2006CB604905,613270805);中国科学院知识创新工程(YYYJ-0701-02)
作者： 肖红领[1,2,3], 王晓亮[1,2,3], 张明兰[1,2,3], 马志勇[1,2,3], 王翠梅[1,2,3], 杨翠柏[1,2,3], 唐健[1,2,3], 冉军学[1,2,3], 李晋闽[1,2,3], 王占国[2], 侯洵[3]
关键词： HEMT, 异质结构, 氮化铝, 插入层, 电学性能, 二维电子气
中文摘要：

设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：赵小玲
  • 地址：石家庄179信箱46分箱
  • 邮编：050051
  • 邮箱：informax@heinfo.net
  • 电话：0311-87091339
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-353X
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6070