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Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition
  • ISSN号：1005-3093
  • 期刊名称：《材料研究学报》
  • 时间：0
  • 分类：O6[理学—化学]
  • 作者机构：[1]Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China
  • 相关基金：Supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 60476017） and the Basic Research Foundation of Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology （TNList）
作者： 刘佳磊[1], 梁仁荣[1], 王敬[1], 徐阳[1], 许军[1], 刘志弘[1]
关键词： 锗元素, 缓冲器, 超高真空化学, 蒸汽沉淀, pure Ge, SiGe buffer, oxidation, ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
中文摘要：

To whom correspondence should be addressed. E-mail： wangj@tsinghua.edu.cn; Tel： 86-10-62789152

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期刊信息
  • 《材料研究学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:国家自然科学基金委员会 中国材料研究学会
  • 主编：叶恒强
  • 地址：沈阳文化路72号
  • 邮编：110016
  • 邮箱：cjmr@imr.ac.cn
  • 电话：024-23971297
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-3093
  • 国内统一刊号：ISSN：21-1328/TG
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,1998-1999被辽宁省新闻出版局定为一级期刊,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:11352