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Long wavelength strain-engineered InAs five stacks quantum dots laser diode growth by molecular beam
  • ISSN号：0030-4026
  • 期刊名称：OPTIK
  • 时间：2013.12.12
  • 页码：1849-1851
  • 相关项目：采用应变工程原理实现高性能中红外波段DWELL激光器结构
作者： You, M. H.|Li, Z. G.|Gao, X.|Qiao, Z. L.|Wang, Y.|Liu, G. J.|Li, L.|Li, M.|
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