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Quantum compact model for thin-body double-gate Schottky barrier MOSFETs
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O413[理学—理论物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China, [2]Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 60206006）, the Program for New Century Excellent Talents of Ministry of Education of China （Grant No NCET-05-085） and the Xi＇an Applied Materials Innovation Fund （Grant No XA-AM-200701）.
作者： Luan Su-Zhen[1,2] Liu Hong-Xia[1,2]
关键词： 肖特基势垒, 量子机理效应, 有效质量, 电子密度, Schottky barrier, quantum mechanism effects, effective mass, electron density
中文摘要：

E-mail： szluan@mail.xidian.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406