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Study on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes based on differential carrier lifetime
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Applied Physics Letters
  • 时间:2016.1.1
  • 页码:-
  • 相关项目:基于磁控溅射和金属诱导结晶的多晶硅薄膜
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