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CoFeB/AlO_x/Ta及AlO_x/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:O484[理学—固体物理;理学—物理] O472[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]中国科学院半导体研究所,北京100083, [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072
  • 相关基金:国家基础研究项目(2013CB922304); 自然科学基金项目(91021022)
中文摘要:

利用射频磁控溅射方法在蓝宝石衬底上制备了氧化钒薄膜,X射线衍射的测量结果表明薄膜的主要成分是多晶二氧化钒.实现了二氧化钒薄膜半导体-金属相变过程的电阻和五个不同波长下薄膜反射率的同步测量.实验结果表明,电学和光学测量都在相变过程中出现回滞曲线,但是二者的表现形式有明显差别.当用光学方法探测时,同一次相变过程中不同区域的反射率曲线几乎完全重合,证明了薄膜样品的均匀性.

英文摘要:

Vanadium oxide thin film was deposited on sapphire by RF magnetron sputtering. The XRD measurement result shows that the thin film is mainly composed of polycrystalline vanadium dioxide. The resistance of the thin film and its optical reflectivity at five different wavelengths were measured simultaneously during the semiconductor-metal phase transition. While both resistance and reflectivity measurements show reproducible hysteresis loops, they have quite dif- ferent appearance. The optical phase transitions of VO2 at different points are almost the same, thus proving that the sam- ple is uniform.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876