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石墨烯衍生材料在忆阻器中的应用
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:材料导报
  • 时间:2013.4.4
  • 页码:26-37
  • 分类:TB32[一般工业技术—材料科学与工程] TB34[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]国防科学技术大学航天科学与工程学院,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙410073
  • 相关基金:国家自然科学基金(51073172)
  • 相关项目:先驱体法微孔BCN纤维的制备、表征与吸附储氢性能
中文摘要:

基于目前石墨烯在忆阻器中应用的最新研究进展,从石墨烯类忆阻器的基本结构出发,评述了石墨、氧化石墨烯、石墨烯在忆阻器中的应用方式,分析了石墨烯类阻变材料的阻变特性、阻变机理及界面势垒调节和电荷陷阱充放电两种模型,最后介绍了目前石墨烯衍生忆阻装置亟待解决的问题和发展方向。

英文摘要:

Based on the latest research progress on applications o{ grapher~e in the memristor, starting from the basic structure of the graphite memristor, the graphite, graphene oxide and graphene are reviewed. Resistive switching characteristics and mechanisms of the resistive switching graphene derivatives, and two models (interface barrier regu- lation and charge trap charging-discharging) are analysed. Finally, problems and the direction of development of gra- phene derivative memristor device are commented.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
  • 地址:重庆市渝北区洪湖西路18号
  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
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