欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Kinetic mechanism of ZnO hexagonal single crystal slices on GaN/sapphire by a layer-by-layer growth
ISSN号:2046-2069
期刊名称:RSC Advances
时间:2013
页码:12826-12830
相关项目:复合半导体量子受限结构中激子行为及异质结类型调控
作者:
Hao, Bingxue|Wang, Xionglong|Li, Yumei|Yao, Jianghong|
同期刊论文项目
复合半导体量子受限结构中激子行为及异质结类型调控
期刊论文 12
同项目期刊论文
Bi-rich grow topological insulator Bi<sub> 2 </sub>Se<sub> 3 </sub> nanodoma
量子尺寸效应对CdSe/ZnS核壳量子点激子特性的影响
Optical Properties Investigation of Core/Shell Quantum Dots by Low Temperature Synthesis <br />
Solution-grown ZnO Nanorods on Femtosecond Laser-microstructured Si Substrates
TiO2光-热催化降解有机污染物的初步研究
隧穿注入量子点体系的载流子动力学研究
Excellent photothermal conversion of core/shell CdSe/ Bi2Se3 quantum dots
CdTe/CdS/ZnS量子点的水相合成及光学特性研究