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应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.054[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,北京,100088, 北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析检测中心,北京,100088 北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,北京,100088 北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析检测中心,北京,100088 北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析检测中心,北京,100088 北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析检测中心,北京,100088
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50502008)
作者： 马通达, 屠海令, 邵贝羚, 刘安生, 胡广勇
关键词： TAD-DCD, RLM, 应变Si
中文摘要：

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.

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应变硅结构的高分辨 X 射线衍射术及其图谱分析
期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754