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The effects of deep-level defects on the electrical properties of Cd0.9Zn0.1Te crystals
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN204[电子电信—物理电子学] TN304.23[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：School of Materials and Chemical Engineering, Xi'an Technological University, Xi'an 710021, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 51502234） and the Scientific Research Plan Projects of Shaanx Provincial Department of Education of China （No. 15JS040）.
作者： Pengfei Wang, Ruihua Nan, Zengyun Jian
关键词： Cd0.9Zn0.1Te晶体, 深能级缺陷, 电学性能, 热刺激电流, 电子迁移率, 费米能级, 低电阻率, 红外透射光谱, Cdo.9Zn0.1Te, deep-level defects, thermally stimulated current spectroscopy, Fermi-level, electrical properties
中文摘要：

Corresponding author. Email： 18710748870@163.com

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754