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Doping Silicon Wafers with Boron by Use of Silicon Paste
  • ISSN号:1005-0302
  • 期刊名称:《材料科学技术学报:英文版》
  • 分类:TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.18[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China
  • 相关基金:Acknowledgments The authors acknowledge financial support from the Na- tional Basic Research Program of China ("973 Program", Grant No. 2013CB632101), the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 50902122), the R&D Program of Ministry of Education of China (Grant No. 62501040202), the Innovation Team Project of Zhejiang Province (Grant No. 2009R50005) and the Xinmiao Program of Zhejiang Province, China.
中文摘要:

Corresponding author. Prof., Ph.D.; Tel.: +86 571 87953003; Fax: +86 571 87952322; E-mail address: xdpi@zju.edu.cn (X. Pi).

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期刊信息
  • 《材料科学技术学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科协
  • 主办单位:中国金属学会
  • 主编:
  • 地址:中国沈阳文化路72号
  • 邮编:110016
  • 邮箱:
  • 电话:024-83978208
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-0302
  • 国内统一刊号:ISSN:21-1315/TG
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国家“双百”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊
  • 被引量:474