位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
射频分子束外延方法生长氮化铝薄膜材料中缺陷的研究
  • 期刊名称：《真空技术学报》
  • 时间：2012
  • 页码：964-968
  • 相关项目：面向固态量子信息器件的可控半导体量子点制备方法
作者： 郝智彪|任凡|张辰|罗毅|
同期刊论文项目
面向固态量子信息器件的可控半导体量子点制备方法
期刊论文 33 会议论文 5
同项目期刊论文
分子束外延生长InGaN/AlN 量子点的组分研究
射频分子束外延生长氮化铝材料中缺陷的研究
Improving the internalquantum efficiency of green InGaN quantum dots through coupled InGaN/GaNquantu
Growth and characterizationof phosphor-free white light-emitting diodes based on InGaN blue quantum
InGaN quantum dot green light-emitting diodes with negligible blue shift of electroluminescence peak
MBE-grown AlN-on-Si with improved crystalline quality by using silicon-on-insulator substrates
Wavelength dependence of colorimetric properties of lighting sources based on multi-color LEDs
MBE Growth of AlN Nanowireson Si Substrates by Aluminizing Nucleation
Nano-fabrication andrelated optical properties of InGaN/GaN nanopillars
Metal-organic-vapor phaseepitaxy of InGaN quantum dots and their applications in light-emitting diod
铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究
高速InP基半导体电光调制器行波电极结构研究
基于高速EAM集成光源的微波光纤传输链路
基于烟囱效应的集成封装半导体照明光源散热结构优化设计
应用于Ⅲ-Ⅴ族半导体光调制器的模斑变换器设计
新型InP基光子轨道角动量集成光源设计与仿真
高饱和电流光电探测器在低噪声系数和高增益RoF光链路中的应用
基于纳米压印技术制作的线偏振蓝光LED
量子级联波长上转换系统红外响应特性研究
利用表面微结构提高波长上转换红外探测器效率
红外波长上转换器件中载流子阻挡结构的研究
分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究
集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化
Size-dependent optical properties of InGaN quantum dots in GaN nanowires grown by MBE
Recent progresses on InGaN quantum dot light-emitting diodes
Metal-organic-vapor phase epitaxy of InGaN quantum dots and their applications in light-emitting diodes
Simple dynamic energy core equivalent rays method to design freeform surface for extended source