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高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:《材料导报》
  • 时间:0
  • 分类:O536[理学—等离子体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]华南师范大学物理与电信工程学院,量子信息技术重点实验室,广东广州510006, [2]广东技术师范学院电子与信息学院,广东广州510665
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(10575039); 广东省自然科学基金项目(10151063101000048)资助
中文摘要:

对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜过程中的氮气和三甲基镓有机金属气体(TMG)混合气体等离子体发射光谱进行分析。结果表明TMG在等离子体自加热条件下就发生离解,N2/TMG混合气体ECR等离子体主要以Ga气体粒子和亚稳态氮分子为主。发射光谱特征谱线随微波功率变化分析表明:当微波功率高于400W时,亚稳态氮分子浓度随着微波功率的增加而增加,而高激发态氮分子以及氮分子离子浓度却随着减少。

英文摘要:

The optical emission spectroscopy of hybrid N2/trimethylgallium(TMG) plasma in an ECR-PECVD system was investigated.The results indicate that the TMG gas is strongly dissociated into Ga*,CH and H even under self-heating condition.Ga species and nitrogen molecule in metastable state are dominant in hybrid ECR plasma.The concentration of metastable nitrogen molecule increases with the microwave power.On the other hand,the concentration of excited nitrogen molecules and of nitrogen ion decreases when the microwave power is higher than 400 W.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
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  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
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  • 被引量:3397