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Theoretical study of the effects of InAs/GaAs quantum dot layer's position in i-region on cu
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：2012
  • 页码：081118-
  • 相关项目：基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究
作者： Yang, Xiao-Guang|Ji, Hai-Ming|Xu, Peng-Fei|Yang, Tao|
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