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Two-dimensional topological insulators with tunable band gaps: Single-layer HgTe and HgSe.
  • ISSN号：2045-2322
  • 期刊名称：Scientific Reports
  • 时间：2015
  • 页码：14115-14115
  • 相关项目：碳化硅纳米颗粒表面石墨烯量子点生长机制与形貌调控的理论研究
作者： Kim, Jinwoong|Kioussis, Nicholas|Stocks, G Malcolm|Zhong, Jianxin|
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