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位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:Acta Physica Sinica
  • 时间:2011
  • 页码:723-732
  • 分类:O47[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:哈尔滨师范大学
  • 相关基金:黑龙江省高等学校教改工程项目(JG2013010361); 国家自然科学基金项目(批准号:11075043); 黑龙江省教育厅科学技术研究项目资助(12541233)
  • 相关项目:GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池空间带电粒子辐照损伤机理研究
中文摘要:

使用太阳电池模拟程序AFORS-HET拟合空间GaAs/Ge太阳电池的电学参数,以期为进一步研究空间太阳电池的辐照损伤效应开辟新途径.根据GaAs/Ge太阳电池的基本参数建立太阳电池基本模型,对照程序文件格式要求制作空间AM0标准太阳光谱和GaAs材料的吸收系数文件.数值模拟结果表明,模拟结果与实验数据符合,AFORS-HET程序能够很好地表征空间GaAs/Ge太阳电池内部载流子输运的基本性质.

英文摘要:

In this paper,the electrical parameters of space GaAs / Ge solar cells is fitted by using solar cell simulation program AFORS- HET in order to further study irradiation damage effects of space solar cells. The basic model of the solar cells is established by the basic parameters of GaAs / Ge solar cells. The space AM0 standard solar spectrum and the absorption coefficient of GaAs material are made by contrast the program file format requirements. The simulation results showed that the simulation results were coincidence with the experimental data. The AFORS- HET program can be a good characterization of the internal the carriers' transport basic properties of space GaAs / Ge solar cells.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876