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双沟道实空间转移晶体管（RSTT）的研制
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：《固体电子学研究与进展》
  • 时间：0
  • 分类：TN386.3[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]天津工业大学信息与通讯学院,天津300160, [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072
  • 相关基金：国家重点基础研究计划项目（973）（批准号2002CB311905）资助;国家自然科学基金资助项目（批准号60536030）;感谢中科院物理所周均铭研究员、王文新副研究员在材料生长上给予的大力协助.
作者： 于欣[1], 牛萍娟[1], 郭维廉[1,2], 杨广华[1], 高铁成[1], 刘宏伟[1], 王小丽[1], 张世林[2], 梁惠来[2], 齐海涛[2], 毛陆虹[2]
关键词： 实空间转移晶体管, 湿法腐蚀, 磁控溅射, 欧姆接触, 合金, 负阻, 电子转移, RSTT, wet etching, magnetron sputtering, ohmic contact, sintering, NDR, electron transfer
中文摘要：

报道了在GaAs衬底上，采用δ掺杂GaAs／InGaAs双沟道结构，成功地研制出双沟道实空间转移晶体管（RSTT），它具有RSTT典型的“∧”型负阻，I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面，磁控溅射制作电极，快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤。器件的主要负阻参数PVCR可达10，对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨。

英文摘要：

By adopting δ-doped GaAs/InGaAs pseudomorphic dual channel structure on GaAs substrate, the real space transfer transistor （RSTT） has been fabricated successfully. It has the standard ＂∧＂ shape negative resistance I-V characteristics with a wide and smooth valley region that the conventional RSTT has ever shown. In this paper, the processing on wet etching, metal sputtering, sintering of source and drain contacts were discussed in detail. The peak-to valley current ratio （PVCR） of this device is 10. The negative differential resistance （NDR） mechanism of RSTT was discussed preliminarily.

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话：025-86858161
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
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  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
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