位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Effect of InxGa1-xN "continuously graded" buffer layer on InGaN epilayer grown by
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2013.10
  • 页码：-
  • 相关项目：ZnO量子阱微腔激子极化激元激光器件的制备及特性研究
作者： Du Chun-Hua|Wang Qiao|Wu Wen-Bo|Zhang Wei-Wei|
同期刊论文项目
ZnO量子阱微腔激子极化激元激光器件的制备及特性研究
期刊论文 11
同项目期刊论文
Ultraviolet Lasing Characteristics of ZnS Microbelt Lasers
low threshold lasing action in an asymmetric double ZnO/ZnMgO quantum well structure
Directional single-mode emission from coupled whispering gallery resonators realized by using ZnS mi
Fabrication of GaN-based LEDs with 22 degrees undercut sidewalls by inductively coupled plasma react
Impedance analysis of secondary phases in a Co-implanted ZnO single crystal
Post-growth annealing study of heavily Ga-doped zinc oxide grown by radio frequency magnetron sputte
高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究（英文）
Cu45Zr42．55Y3.45Al9非晶合金的晶化动力学行为
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406