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半绝缘SiC单晶生长和表征
  • ISSN号：1000-985X
  • 期刊名称：《人工晶体学报》
  • 时间：0
  • 分类：O7[理学—晶体学]
  • 作者机构：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室
  • 相关基金：国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB301904,2009CB930503);国家自然科学基金(51021062,11134006)
作者： 宋生[1], 胡小波[1], 徐现刚[1]
关键词： SIC单晶, 升华法, 数值模拟, 晶型, 半绝缘, SiC single crystal, sublimation, numerical simulation, polytype, semi-insulating
中文摘要：

使用升华法生长碳化硅(SiC)单晶,借助数值模拟方法优化温场,在不同条件下分别获得单一晶型的4H-SiC和6H-SiC单晶,利用拉曼光谱进行表征。采用V掺杂的方法,制备半绝缘SiC单晶,使用非接触式电阻率测试仪进行了测试,并对4H-SiC和6H-SiC电阻率进行了比较和分析。

英文摘要：

使用升华法生长碳化硅(SiC)单晶,借助数值模拟方法优化温场,在不同条件下分别获得单一晶型的4H-SiC和6H-SiC单晶,利用拉曼光谱进行表征。采用V掺杂的方法,制备半绝缘SiC单晶,使用非接触式电阻率测试仪进行了测试,并对4H-SiC和6H-SiC电阻率进行了比较和分析。

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期刊信息
  • 《人工晶体学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国建材工业协会
  • 主办单位:中国硅酸盐学会 晶体生长与材料专业委员会 中材人工晶体研究院
  • 主编：余明清
  • 地址：北京市733信箱
  • 邮编：100018
  • 邮箱：
  • 电话：010-65492963 65492968 65493320
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-985X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2637/O7
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1997年获国家科技优秀期刊,获部级优秀科技期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:9943