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Crack behavior of Si-doped GaAs crystals grown by pulling-down method
  • ISSN号：0878-492569
  • 期刊名称：Key Engineering Materials
  • 时间：2013
  • 页码：88-91
  • 相关项目：高性能铁电单晶的微观力学行为研究
作者： FANG Yongzheng|JIN Min|HE Qingbo|SHEN Hui|JIANG Guojian|XU Jiayue|
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高性能铁电单晶的微观力学行为研究
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