中文摘要：

研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd／Zn和Te气氛退火后，其光电性能的变化规律。研究表明，在Cd／Zn气氛下退火180h后，CdznTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级，晶体的体电阻率由10^10Ω·cm减小至～10^7Ω·cm。同时发现，Cd／Zn源区的温度决定了退火后晶体在500～4000cm^-1范围内红外透过率曲线的平直状态，这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关，而与晶体中的载流子浓度和夹杂／沉淀相状态无关。在Te气氛下退火时，发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg（p）呈近似线性关系，同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化。

英文摘要：

The CdZnTe crystals were annealed in Cd/Zn vapor and Te vapor under different temperature and time to investigate the effects of the annealing on the optical and electrical properties of CdZnTe single crystals. The results indicate that after Cd/Zn vapor annealing for 180 h, the mean area density of Te inclusions （ 〉 5 μm） has reduced by one order while the resistivity declined from 10l^10 Ω·cm to ～ 10^7 Ω· cm. It has been found that the shape of infrared trans-mittance curve depended on the temperature of Cd/Zn source which may be related to the concentration of Cd interstitials atoms rather