通过Mn离子注入Mg掺杂GaN 外延层制备了铁磁性GaN∶Mn薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响.拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻Ehig2 h 峰. 光致发光谱观察到位于1.69,2.54 和2.96eV的3个新的发光峰,分析认为2.96eV 的发光峰来自MgGaGVN 复合体深施主能级和Mg的浅受主能级之间的辐射复合跃迁,2.54eV的发光峰来自浅施主能级和深受主能级之间的辐射复合跃迁,对于位于1.69eV的新发光峰不排除来自MgGaGVN 复合体深施主能级和Mn相关深受主能级之间辐射复合跃迁的贡献.