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片状立方氮化硼合成及其导电特性研究
  • ISSN号：1000-5773
  • 期刊名称：《高压物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.23[电子电信—物理电子学] O472.4[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春
  • 相关基金：国家自然科学基金!69576012
作者： 张铁臣, 王明光
关键词： 合成, CBN, V-A特性, 立方氮化硼, 导电性
中文摘要：

通过控制高压腔内的温度，压力梯度合成了粒径３００～５００μｍ的片状立方氮化硼（ｃＢＮ）单晶体，通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩莠掺杂，获得了具有半导体电性的立方氮化硼材料并测试了其Ｖ－Ａ特性。

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期刊信息
  • 《高压物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:四川省科学技术协会
  • 主办单位:中国物理学会 高压物理专业委员会 四川省物理学会
  • 主编：邹广田
  • 地址：四川省绵阳市919信箱110分箱
  • 邮编：621999
  • 邮箱：gaoya@caep.cn
  • 电话：0816-2490042
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-5773
  • 国内统一刊号：ISSN：51-1147/O4
  • 邮发代号:62-132
  • 获奖情况:
  • 中国物理类核心期刊,EI、CI收录期刊,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:3617