位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Temperature Insensitivity of Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots due to a Pregrown InGaAs Q
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：1-3
  • 语言：英文
  • 相关项目：宽光谱量子点材料及其器件应用
作者： 吴巨|梁志梅|金灿|金鹏|王占国|
同期刊论文项目
宽光谱量子点材料及其器件应用
期刊论文 14
同项目期刊论文
量子点超辐射发光管研究进展
超辐射发光二极管的应用
量子点超辐射发光管研究进展(续)
Short-wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes
InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质(英文)
High-Power Quantum-Dot Superluminescent LED With Broadband Drive Current Insensitive Emission Spectr
Broadband Emitting Superluminescent Diodes With InAs Quantum Dots in AlGaAs Matrix
InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm
Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices
InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质
In（Ga）As量子点红外探测器
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190