位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器
  • 期刊名称：中国激光，第32卷，第8期，pp. 1031-1034，2005.
  • 时间：0
  • 相关项目：新型半导体量子结构与器件相关基础问题
作者： 王健，熊兵，孙长征，郝智彪，罗
同期刊论文项目
新型半导体量子结构与器件相关基础问题
期刊论文 257 会议论文 95 获奖 5 著作 11
同项目期刊论文
Chemisorption of Fe on Au-pass
半导体量子点及其应用（Ⅱ）
掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作
Interface-related in-plane opt
A Novel Ni/Ag/Pt Ohmic Contact
Ordering growth of InAs quantu
Localized excitons in self-ass
Resistivity measurements of se
有序结构ZnO的自组装生长及光学
The effect of In content on hi
A novel method for positioning
Electron-interface-phonon inte
Microstructure control of ZnO
Chemisorption of Au on Si(001)
Interband and intraband photoc
Effect of substrate misorienta
AlN nanorings；
Growth of ZnO photonic crystal
Strain-induced in-plane optica
Large g-factors of higher-lyin
Raman study on self-assembled
Substrate temperature dependen
InAs nanostructure grown with
ZnO薄膜的自组织设计及形貌控制
ZnO纳米线的合成与生长机理
基于SSCVD方法的a-b轴取向ZnO薄
Electrochemical lithography: f
Optical anisotropy and strain
Surface morphology evolution d
Blue-yellow ZnO homostructural
Polar vibration spectra of int
半导体量子点及其应用（Ⅰ）
纳米加工和纳米电子器件
宽带隙半导体及其应用
A Novel Multisection DFB Laser
Donor bound excitons in wurtzi
Evolution of wetting layer of
A three dimensional photonic c
MOCVD growth of self-arranged
Wet oxidation of AlxGa1-xAs/ G
Double bound polaron in polar
Ge-dots/Si multilayered struct
GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响