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Investigation of Charge Relaxation in Silicon Nitride for the Reliability of Electrostatically Drive
  • ISSN号：0018-9383
  • 期刊名称：IEEE Transactions on Electron Devices
  • 时间：2014.8
  • 页码：2963-2969
  • 相关项目：电容式RF MEMS开关介质中电荷积累机理及其消除方法的研究
作者： Sang, Shengbo|Hu, Jie|Zhao, Qinghua|Chen, Xuyuan|
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