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Behaviour of Ti Based on Si （111） Substrate at High Temperature in Oxygen
  • ISSN号：1007-0206
  • 期刊名称：《半导体光子学与技术：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]School of Information Science, University of Jinan, Jinan 250022, CHN
  • 相关基金：National Natural Science Foundation of China（90201025, 90301002）
作者： SUN Chuan-wei WANG Yu-tai LI Nian-qiang[1]
关键词： TISI2, TiO2, 硅衬底, 氧气, 高温, 钛行为, direct current magnetron sputtering, TiSi2 , TiO2 , annealing
中文摘要：

Ti 的行为基于在在高温度下面的氧的 Si (111 )(700 ℃， 800 ℃， 900 ℃， 1 000 ℃和 1 100 ℃) 被报导。X 光检查衍射(XRD ) 和 Fourier 红外线分光镜(FTIR ) 被用来分析在氧环境在不同温度退火的样品的结构和作文。提起温度对 TiSi_2 和 TiO_2 的形成有用，这被发现并且对到 Sisubstrate 的 Ti 的散开有用。

英文摘要：

The behavior of Ti based on Si（lll） in oxygen under high temperatures（700 ℃, 800 ℃ , 900 ℃ , I 000 ℃ and 1 100℃） is reported. X-ray diffraction（XRD） and Fourier transform infrared spectroscopy （FTIR） are used to analyze the structure and composition of the samples annealing at different temperatures in oxygen ambience. It is found that raising temperature is helpful to the formation of both TiSi2 and TiO2 and helpful to the diffusion of Ti to Si substrate.

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期刊信息
  • 《半导体光子学与技术：英文版》
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:重庆光电技术研究所
  • 主编：刘俊刚
  • 地址：重庆南坪花园路14号44所（南坪2514信箱）
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  • 国际标准刊号：ISSN：1007-0206
  • 国内统一刊号：ISSN：
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1999年获重庆市首届期刊质评质优期刊奖,2000年获《CAJ-CD规范》执行优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,日本日本科学技术振兴机构数据库
  • 被引量:20