分别使用激光二极管和高功率激光器作为触发光源,进行了GaAs光导开关(GaAs—PCSS)的高功率导通实验,并分析了在不同光照条件下GaAs—PCSS的使用寿命和失效机理。结果表明:在强偏置电场下,GaAs-PCSS的导通模式由光功率密度决定。在激光二极管触发下,光功率密度较低,GaAs-PCSS进入非线性导通模式,寿命约为10^5次,光导开关的损伤主要是由于载流子雪崩效应产生;在高功率激光器触发下,光功率密度较高,GaAs-PCSS进入准线性导通模式,寿命可达约10^5次,损伤则主要是由于电极烧蚀产生。该研究结果对微型高功率激光发生器提出了需求。