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4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型
  • ISSN号：1001-2400
  • 期刊名称：西安电子科技大学学报
  • 时间：2011
  • 页码：42-46
  • 相关项目：新型高功率4H-SiC JBS二极管的研究
作者： 汤晓燕|张玉明|张义门|
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期刊信息
  • 《西安电子科技大学学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中华人民共和国教育部
  • 主办单位:西安电子科技大学
  • 主编：廖桂生
  • 地址：西安市太白南路2号349信箱
  • 邮编：710073
  • 邮箱：xuebao@mail.xidian.edu.cn
  • 电话：029-88202853
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-2400
  • 国内统一刊号：ISSN：61-1076/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 曾13次荣获省部级优秀期刊荣誉和优秀编辑质量奖,2006年荣获首届中国高校优秀科技期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:12591