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Analysis of the device characteristics of AlGaN/GaN HEMTs over a wide temperature range
  • ISSN号：0921-5107
  • 期刊名称：Materials Science and Engineering B-Solid State Ma
  • 时间：2013.4.1
  • 页码：465-470
  • 相关项目：AlGaN/GaN HEMT低频噪声与器件可靠性相关性的研究
作者： 赵妙|
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