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柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的研究进展
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]东北农业大学电气与信息学院,哈尔滨150030, [2]南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院,南京210023, [3]南京工业大学先进材料研究院,南京211816
  • 相关基金:国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB723402)、国家自然科学基金(批准号:61204095,61136003,21144004)、中国博士后科学基金(批准号:20070410883)、教育部博士点基金(批准号:20113223120003)、江苏省自然科学基金(批准号:BK2012431)、黑龙江省博士后基金(批准号:BH-Z07233)、黑龙江省自然科学基金重点项目(批准号:ZD201303)、江苏省高校自然科学基础研究面上项目(批准号:11KJB510017)和南京邮电大学人才科研启动基金(批准号:NY211022)资助的课题.
中文摘要:

柔性有机非易失性场效应晶体管存储器具有柔性、质轻、成本低、可低温及大面积加工等优点,在射频识别标签、柔性存储、柔性集成电路和大面积柔性显示等领域展现出巨大的应用前景.本文在介绍柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的衬底材料、器件结构和性能参数的基础上,总结了柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的分类,并讨论了机械应力和不同温度对柔性有机非易失性场效应晶体管存储器性能参数的影响,最后展望了柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的应用前景以及所面临的挑战.

英文摘要:

Flexible organic non-volatile memory field-effect transistors (ONVMFETs) are promising candidates in the field of flexible organic electronic devices, which can be used in flexible radio frequency tags, memories, integrated circuits and large-area displays, because of their remarkable advantages such as flexibility, lightweight, low cost and large-area organic electronics. On the basis of the introduction of the development of flexible ONVMFETs in terms of substrates, structures and characteristics, the classification of flexible ONVMFETs is summarized. Meanwhile, we discuss the effects of mechanical stress and temperature on the performance of flexible ONVMFET. Finally, some prospects as well as the challenges are pointed out.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876