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Room temperature ferromagnetism induced by N-ion implantation in 6H-SiC single crystal
  • ISSN号：0167-577X
  • 期刊名称：Materials Letters
  • 时间：2013.2.15
  • 页码：374-376
  • 相关项目：功能氧化物材料中缺陷演化的正电子湮没技术分析和表征
作者： Ma, X. P.|Zheng, H. W.|An, R.|Peng, C. X.|Liu, J. D.|Ye, B. J.|Diao, C. L.|Liu, X. Y.|Zhang, W. F.|
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