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Modeling of temperature dependence of the leakage current through a hafnium silicate gate dielectric
  • ISSN号:0268-1242
  • 期刊名称:Semiconductor Science and Technology
  • 时间:0
  • 页码:1203-1208
  • 语言:英文
  • 相关项目:氢、氧、氮相关缺陷的精细电子结构对下一代GLSI电路性能的影响
作者: Mao, Ling-Feng|
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