位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Design of U-Shape Channel Tunnel FETs With SiGe Source Regions
  • ISSN号：0018-9383
  • 期刊名称：IEEE Transactions on Electron Devices
  • 时间：2014.1
  • 页码：193-197
  • 相关项目：隧穿场效应晶体管在存储器应用中的探索与研究
作者： Liu, Xiao-Yong|Sun, Qing-Qing|Zhou, Peng|Zhang, David Wei|
同期刊论文项目
隧穿场效应晶体管在存储器应用中的探索与研究
期刊论文 7 会议论文 4
同项目期刊论文
一种新型高速嵌入式动态随机存储器
A Semi-Floating Gate Transistor for Low-Voltage Ultrafast Memory and Sensing Operation
N-ZnO Nanowires/p-Si Heterojunction with Amorphous Seed Layer Prepared by Atomic Layer Deposition