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Effect of Side Insulation on Stress and Dislocation in the Multi-crystalline Silicon Ingot during Cooling Process
  • ISSN号：1000-985X
  • 期刊名称：《人工晶体学报》
  • 时间：0
  • 分类：TM855[电气工程—高电压与绝缘技术] TS205.7[轻工技术与工程—食品科学;轻工技术与工程—食品科学与工程]
  • 作者机构：[1]School of Materials Science and Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu 21009, China, [2]Donghai JA Solar Technology Co., Ltd., Lianyungang, Jiangsu 222300, China, [3]~ JA Solar Holdings Co., Ltd., Feng Tai District, Beijing 100160, China
  • 相关基金：This work was partly supported by the Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University （PCSIRT） under grant no. IRT1146; a project funded by the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions （PAPD）; a project funded by the Natural Science Foundation of the Jiangsu Higher Education Institutions under grant no. 13KJB430016; and a project funded by the Natural Science Foundation of the Jiangsu province under grant no. BK20141460.
作者： Bing Zhou[1], Wenliang Chen[2], Hui Dong[2], Xucheng Zhou[2], Fengming Qi[2], Jianming Luo[2], Xinming Huang[1,3]
关键词： 冷却过程, 位错密度, 多晶硅锭, 应力和, 绝缘, 铸锭, 优化设计, 太阳能电池, Computer simulation, thermal stresses, dislocations, industrial crystallization, solar cells.
中文摘要：

Corresponding author： Bing Zhou, professor, research field： crystal growth.

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期刊信息
  • 《人工晶体学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国建材工业协会
  • 主办单位:中国硅酸盐学会 晶体生长与材料专业委员会 中材人工晶体研究院
  • 主编：余明清
  • 地址：北京市733信箱
  • 邮编：100018
  • 邮箱：
  • 电话：010-65492963 65492968 65493320
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-985X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2637/O7
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1997年获国家科技优秀期刊,获部级优秀科技期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
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