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BandgapTailoring via Si Doping in Inverse-Garnet Mg3Y2Ge3O12:Ce3+ Persistent Phosphor Potentially Ap
  • ISSN号:1944-8244
  • 期刊名称:ACS Applied Materials & Interfaces
  • 时间:2015
  • 页码:21835-21843
  • 相关项目:过渡金属硫属半导体异质结材料的液相合成、结构调控与发光性能研究
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