位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Effects of rapid thermal annealing on ohmic contact of AlGaN/GaN HEMTs
  • 期刊名称：Chinese Journal of Semiconductors
  • 时间：2014
  • 页码：-
  • 相关项目：基于GaN基 HEMT隔膜力-电耦合机制的红外探测器研究
作者： Zhu Yanxu(朱彦旭)|Cao Weiwei(曹伟伟)|Fan Yuyu(范玉宇)|Deng Ye(邓叶)|Xu Chen(徐晨)|
同期刊论文项目
基于GaN基 HEMT隔膜力-电耦合机制的红外探测器研究
期刊论文 26
同项目期刊论文
不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响
注入电流对绿光高压LED光电特性的影响
外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究
掺C高阻GaN的MOCVD外延生长
AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响
Al组分对MOCVD制备的Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响
Graphene transparent electrodes grown by rapid chemical vapor deposition with ultrathin indium tin o
Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究
High-power in-phase coherently coupled VCSEL array based on proton implantation
质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器制备
低阈值852nm半导体激光器的温度特性
低阈值单横模852nm半导体激光器
Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响
ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响
980nm垂直腔面发射激光器的外延生长
GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响
AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化
Effects of rapid thermal annealing on ohmic contact of AIGaN/GaN HEMTs