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半导体三极管电磁脉冲损伤功率实验研究
  • ISSN号:1002-087X
  • 期刊名称:《电源技术》
  • 时间:0
  • 分类:TM835[电气工程—高电压与绝缘技术] TN949.7[电子电信—信号与信息处理;电子电信—信息与通信工程]
  • 作者机构:[1]张家口职业技术学院基础部,河北张家口075051, [2]军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北石家庄050003
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(50237040)
中文摘要:

针对硅微波低噪声三极管2SC3399进行方波电磁脉冲效应实验,主要研究三极管在方波电磁脉冲作用下造成损伤的损伤功率表达式,通过对损伤功率进行统计分布。发现三极管损伤能量值基本符合正态分布。

英文摘要:

Silicon microwave low-noise triode, such as 2SC3399, has been carried on experiments of the square wave electromagnetic pulse effect. We gets some initial conclusions, and finds the expression of damage power. By the way of carrying on the statistical distribution,We find that the triode's damage energy value basically fits the normal distribution.

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期刊信息
  • 《电源技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十八研究所
  • 主编:黄永才
  • 地址:天津市西青海泰华科七路6号
  • 邮编:300384
  • 邮箱:cjps@tips.ac.cn
  • 电话:022-23959362
  • 国际标准刊号:ISSN:1002-087X
  • 国内统一刊号:ISSN:12-1126/TM
  • 邮发代号:6-28
  • 获奖情况:
  • 国家期刊提名奖,国家“双效”期刊,连续四届天津市优秀期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:11796