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基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN605[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构：[1]中国科学院微电子研究所纳米加工及新器件集成研究室,北京100029, [2]中国科学院化学研究所有机固体重点实验室,北京分子科学国家实验室,北京100080
  • 相关基金：国家重点基础研究发展计划（批准号;2006CB806204）及国家自然科学基金（批准号：60676001,60676008,60236010,60290081）资助项目
作者： 涂德钰[1], 姬濯宇[2], 商立伟[1], 刘明[1], 王丛舜[1], 胡文平[2]
关键词： 有机电子学, 双稳态开关, 交叉存储器, organic electronics, bistable switching, crossbar memory
中文摘要：

采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜，并进行了红外、紫外光谱表征．利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件．研究发现，Ti／AgTCNQ／Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性．将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3．8～5V，将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3．5～-4．4V，与通常的CuTCNQ器件相比较小．这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器．

英文摘要：

The AgTCNQ thin-film was prepared by vacuum vapor co-deposition and characterized by infrared spectral analysis,and then a uniform AgTCNQ （TCNQ-- 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane） thin-film layer was sandwiched in a Ti/AgTCNQ/Ati crossbar structure array as organic bistable devices （OBD）.A reversible and reproducible memory switching property,caused by intermolecular charge transfer （CT） in the AgTCNQ thin-film, was observed in the organic bista- ble devices. The positive threshold voltage from the high impedance state to the low impedance was about 3.8-5V, with the reverse phenomenon occurring at a negative voltage of - 3.5- - 4. 4V,lower than that with a CuTCNQ active layer. The crossbar array of OBDs with AgTCNQ is promising for nonvolatile organic memory applications.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754