位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究
  • 期刊名称：人工晶体学报
  • 时间：0
  • 页码：287-290
  • 语言：中文
  • 相关项目：沿非c面生长碳化硅单晶
作者： 彭燕|蒋民华|陈秀芳|李娟|徐现刚|高玉强|胡小波|
同期刊论文项目
沿非c面生长碳化硅单晶
期刊论文 10
同项目期刊论文
退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响
Evolution andstructureoflow-anglegrainboundariesin6H–SiCsingle crystals grownbysublimationmeth
Raman spectroscopic study of the electrical properties of 6H–SiC crystals grown by hydrogen-as
Basal plane bending of 6H-SiC single crystals observed by synchrotron radiation X-ray topography
Characterization of foreign grain on 6H-SiC facet
Stacking faults in semi-polar 6H-SiC single crystals
不同极性6H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研究
以（1015）面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究
湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究