欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Influence of unintentional doped carbon on growth and properties of N-doped ZnO films
ISSN号:0021-8979
期刊名称:Journal of Applied Physics
时间:0
页码:77-80
语言:英文
相关项目:大尺寸、高质量ZnO晶体的水热法生长关键科学技术问题研究
作者:
Chen, Hui|Zheng, Youdou|Liu, Wei|Zhu, Shunming|Gu, Shulin|
同期刊论文项目
大尺寸、高质量ZnO晶体的水热法生长关键科学技术问题研究
期刊论文 27
会议论文 3
专利 8
同项目期刊论文
氧化锌晶体的水热法生长及其性能研究
高度c轴取向的ZnO膜的低温水热法制备
Mn与N共掺ZnO铁磁稳定性及其电子结构的第一性原理研究
Suppression of compensation from nitrogen and carbon related defects for p-type N-doped ZnO
水热法ZnO单晶的缺陷和光学特性研究
Mn incorporation induced changes on structure and properties of N-doped ZnO
N掺杂ZnO薄膜的接触特性
Room-temperature ferromagnetism in Mn-N Co-doped p-ZnO epilayers by metal-organic chemical vapor dep
High temperature dehydrogenation for realization of nitrogen-doped p-type ZnO
Carbon clusters in N-doped ZnO by metal-organic chemical vapor deposition
氧化锌晶体的水热法生长及性能表征
Rapid thermal annealing induced changes on the contact of Ni/Au to N-doped ZnO
Simulation of the ZnO-MOCVD horizontal reactor geometry
Correlation between carrier recombination and p-type doping in P monodoped and In-P codoped ZnO epil
Competitive adsorption and two-site occupation effects in metal-organic chemical vapor deposition of
Correlation between carrier recombination and p-Correlation between carrier recombination and p-type
Growth and properties of ZnO thin film on (111) SrTi03
Modeling analysis of the MOCVD growth of ZnO film
Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性
ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响
ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟
N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光
MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究
p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
O2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
Zn1-xMgxO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究