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位错间的相互作用对应变外延层应变释放的影响
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：《固体电子学研究与进展》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.01[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区
  • 相关基金：国家自然科学基金!No.69676021
作者： 金智[1], 杨树人[1], 安海岩[1], 王本忠[1], 赵方海[1], 刘式墉[1]
关键词： 失配位错, 应变释放, 位错相互作用, Ⅲ-Ⅴ族半导体
中文摘要：

利用Ｄ－Ｔ模型考虑了界面位错间的相互作用，计算了外延层与衬底为不同失配，不同厚度时，应变的释放。发现由于失配产生的位错，在外延层应变释放的初期，主要是靠产生６０°位错来释放应变，而在产生较多的位错后，位错间的相互作用将导致外延层的应 过程缓慢，此时要考虑９０°位错对应变释放所造成的影响；并对已有的实验结果进行了一些解释。

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
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  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:2461