欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
低能He~+、Ar~+、Xe~+轰击SiC的蒙特卡诺模拟
ISSN号:1001-9731
期刊名称:功能材料
时间:0
页码:1590-1593
语言:中文
相关项目:环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究
作者:
苟富均|金石声|朱林山|谢泉|
同期刊论文项目
环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究
期刊论文 35
会议论文 7
同项目期刊论文
First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg2Si
激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi_2
Fe/Si薄膜中硅化物的形成和氧化
低能入射Si与Si(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟
铁硅化合物β-FeSi_2带间光学跃迁的理论研究
纳米硅化物环境友好半导体材料的研究进展
基于β-FeSi2薄膜的太阳能电池研究
粒子数表象中谐振子微扰问题的研究
掺杂β-FeSi2的研究进展
正交相BaSi2粉晶X射线衍射谱的计算
新型半导体材料BaSi2的研究进展
OsSi_2电子结构和光学性质的研究
Si基外延Ru_2Si_3电子结构及光学性质研究
基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析
掺杂β-FeSi2的电子结构及光学性质的第一性原理研究
铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究
V掺杂CrSi2能带结构的第1性原理计算
BaSi2晶体结构及X射线衍射谱的研究
不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响木
退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响
Fe0.875Mn0.125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究
CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究
低能He^+、Ar^+、Xe^+轰击SiC的蒙特卡诺模拟
Mg2Si电子结构及光学性质的研究
Ca2Si电子结构和光学性质的研究
溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响
基于β-FeSi2薄膜的异质结研究现状
K掺杂立方相Ca2Si电子结构及光学性能的研究
期刊信息
《功能材料》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:重庆材料研究院
主办单位:重庆材料研究院
主编:黄伯云
地址:重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
邮编:400707
邮箱:gnclwb@126.com
电话:023-68264739
国际标准刊号:ISSN:1001-9731
国内统一刊号:ISSN:50-1099/TH
邮发代号:78-6
获奖情况:
2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
被引量:30166