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中文摘要：
运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性，计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法．计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化，变化趋势和实验结果吻合．在包含两个Cr原子的体系中，Cr原子之间是铁磁性偶合，每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近．对于不同的掺杂浓度，Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合，Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化，这与晶体的能带计算方法得到的结果一致．
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