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GaAs MESFET微波固态振荡器的设计与实现
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN753.9[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]桂林电子科技大学通信与信息工程系,广西桂林541004
  • 相关基金:国家自然科学基金重点项目(60432040);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-05-0754);广西新世纪十百千人才工程专项(200327)
中文摘要:

通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器。电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化。由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54GHz,输出功率为14.95dBm,在200kHz下的相位噪声为-124.26dBc/Hz。

英文摘要:

The microwave solid oscillator based on C, aAs MESFET was implemented by theory calculation and optimization of CAD. The actual test results show that the oscillator can achieve phase-noise performance of - 124.26 dBc/Hz at 200 kHz offset, and output power can achieve 14.95 dBm, the centre frequency of output signal is 4.54 GHz. The circuit is very compact and appropriate for IC design, and also convenience in engineering applications.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
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  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070