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Effects of concentration and annealing on the performance of regioregular poly（3-hexylthiophene） field-effect transistors
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学] TN304.23[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Institute of Optoelectronics Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China, [2]Key Laboratory of Luminescence and Optical Information (Beijing Jiaotong University), Ministry of Education, Beijing 100044, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos 10774013, 10804006）, the National High Technology Research and Development Program of China （Grant No 2006AA03Z0412）, the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China （Grant No 20070004024）; The Research Fund for the Youth Scholars of the Doctoral Program of Higher Education （Grant No 20070004031）, the Beijing NOVA Program （Grant No 2007A024） and the 111 Project （Grant No B08002）.
作者： 田雪雁[1,2], 徐征[1,2], 赵谡玲[1,2], 张福俊[1,2], 袁广才[1,2], 徐叙瑢[1,2]
关键词： 场效应晶体管, 热退火, 性能, 浓度, 噻吩, 己基, 氯仿溶液, 重量百分比, field-effect transistors, regioregular poly（3-hexylthiophene） concentration, annealing field-effect mobility
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： zhengxu@bjtu.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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